
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 56.86 грн |
2000+ | 54.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV32-200-E3/45 Vishay
Description: DIODE ARRAY GP 200V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A, Supplier Device Package: TO-220-3, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYV32-200-E3/45 за ціною від 49.28 грн до 148.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Reverse recovery time: 25ns Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Heatsink thickness: 1.14...1.39mm |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; tube; Ifsm: 150A; TO220AB; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 18A Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Reverse recovery time: 25ns Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Heatsink thickness: 1.14...1.39mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
BYV32-200-E3/45 Код товару: 129040
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
BYV32-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |