Продукція > NXP USA INC. > BYV32E-100,127
BYV32E-100,127

BYV32E-100,127 NXP USA Inc.

BYV32E-100.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: DIODE ARRAY 100V 20A TO220AB
Packaging: Bulk
на замовлення 8398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
556+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYV32E-100,127 NXP USA Inc.

Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: TO-220AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V.

Інші пропозиції BYV32E-100,127 за ціною від 31.31 грн до 66.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127 Виробник : WeEn Semiconductors byv32e-100.pdf BYV32E-100.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 137A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.23 грн
9+43.51 грн
25+38.38 грн
28+33.10 грн
76+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127 Виробник : WeEn Semiconductors byv32e-100.pdf BYV32E-100.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward impulse current: 137A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Case: SOT78; TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.27 грн
6+54.22 грн
25+46.06 грн
28+39.72 грн
76+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127
Код товару: 117745
Додати до обраних Обраний товар

byv32e-100.pdf BYV32E-100.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127 Виробник : Ween byv32e-100.pdf Rectifier Diode Switching 100V 20A 25ns 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127 Виробник : WeEn Semiconductors byv32e-100.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32E-100,127 BYV32E-100,127 Виробник : WeEn Semiconductors BYV32E-100-1846656.pdf Rectifiers RAIL REC-DD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.