
на замовлення 22015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 11.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV38-TAP Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYV38-TAP за ціною від 14.93 грн до 51.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYV38-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV38-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 300ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 5326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV38-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 8857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV38-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 300ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYV38-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 23791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BYV38-TAP Код товару: 188006
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|