BYV415W-600PQ WeEn Semiconductors
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.3 грн |
| 10+ | 148.24 грн |
| 100+ | 102.58 грн |
| 600+ | 88.41 грн |
| 1200+ | 78.28 грн |
| 3000+ | 75.59 грн |
| 5400+ | 74.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV415W-600PQ WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.1V, Case: TO247-3, Max. load current: 30A, Semiconductor structure: common cathode; double, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Max. forward impulse current: 150A, Load current: 15A x2, Max. off-state voltage: 0.6kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BYV415W-600PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV415W-600PQ | Виробник : NXP Semiconductors |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
BYV415W-600PQ | Виробник : Ween |
Rectifier Diode Switching 600V 30A 50ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|
 |
BYV415W-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.1V Case: TO247-3 Max. load current: 30A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward impulse current: 150A Load current: 15A x2 Max. off-state voltage: 0.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
BYV415W-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; TO247-3 Type of diode: rectifying Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.1V Case: TO247-3 Max. load current: 30A Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward impulse current: 150A Load current: 15A x2 Max. off-state voltage: 0.6kV |
товар відсутній |