Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > BYV430J-600PQ

BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors

byv430j-600p.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.50 грн
10+140.47 грн
100+111.78 грн
500+88.77 грн
1000+75.32 грн
2000+71.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors

Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції BYV430J-600PQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYV430J-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors byv430j-600p.pdf BYV430J-600PQ THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV430J-600PQ BYV430J-600PQ Виробник : WeEn Semiconductors BYV430J-600P-1382479.pdf Rectifiers BYV430J-600PQ/TO3PF/STANDARD M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.