BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.24 грн |
| 10+ | 141.86 грн |
| 100+ | 112.89 грн |
| 500+ | 89.64 грн |
| 1000+ | 76.06 грн |
| 2000+ | 72.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-3P, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYV430J-600PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYV430J-600PQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
Rectifiers BYV430J-600PQ/TO3PF/STANDARD M |
товару немає в наявності |