BYW29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.99 грн |
| 50+ | 35.48 грн |
| 100+ | 31.25 грн |
| 500+ | 26.89 грн |
| 1000+ | 25.96 грн |
| 2000+ | 25.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW29-200-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYW29-200-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції BYW29-200-E3/45 за ціною від 27.00 грн до 89.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW29-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYW29-200-E3/45 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 25 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 8.0 Amp 200 Volt |
на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BYW29-200-E3/45 Код товару: 155970
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BYW29-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Max. forward impulse current: 100A Reverse recovery time: 25ns Capacitance: 45pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward voltage: 0.8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BYW29-200-E3/45 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; 25ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Case: TO220AC Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Max. forward impulse current: 100A Reverse recovery time: 25ns Capacitance: 45pF Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward voltage: 0.8V |
товару немає в наявності |