на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 660+ | 17.64 грн |
| 685+ | 17.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW32-TAP Vishay
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: SOD-57, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-57, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції BYW32-TAP за ціною від 11.83 грн до 41.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW32-TAP | Виробник : VISHAY |
 Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 12010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW32-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 8191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW32-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12010 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW32-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 200 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW32-TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 200ns 2-Pin SOD-57 Ammo |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BYW32-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |