
на замовлення 39483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
276+ | 44.21 грн |
375+ | 32.59 грн |
500+ | 27.42 грн |
1000+ | 21.58 грн |
2000+ | 19.36 грн |
5000+ | 15.76 грн |
10000+ | 15.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW36-TAP Vishay
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 2A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated, Kind of package: Ammo Pack, Max. forward impulse current: 50A, Case: SOD57, Max. forward voltage: 1.1V, Reverse recovery time: 200ns, кількість в упаковці: 25000 шт.
Інші пропозиції BYW36-TAP за ціною від 13.87 грн до 58.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BYW36-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 25000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BYW36-TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |