BYW55-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 15.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW55-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYW55-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BYW55, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції BYW55-TAP за ціною від 13.44 грн до 54.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYW55-TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYW55-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW55-TAP | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYW55-TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 2 A, Einfach, 1 V, 4 µs, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BYW55 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW55-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 0.9V Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW55-TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-57, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-57 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW55-TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 2.0 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM |
на замовлення 22812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BYW55-TAP | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD57; 200ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 50A Case: SOD57 Max. forward voltage: 0.9V Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYW55-TAP | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 800V 2A 4000ns Automotive 2-Pin SOD-57 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BYW55-TAP | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57 Ammo Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |