BYW76RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A
Packaging: Bulk
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.49 грн |
10+ | 82.53 грн |
100+ | 55.61 грн |
500+ | 41.37 грн |
1000+ | 37.89 грн |
2000+ | 34.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYW76RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A, Packaging: Bulk, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 3A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції BYW76RAS15-10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BYW76RAS15-10 |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
BYW76RAS15-10 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |