BYWB29-100-E3/45 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.11 грн |
| 10+ | 96.15 грн |
| 100+ | 65.21 грн |
| 500+ | 53.93 грн |
| 1000+ | 43.68 грн |
| 2000+ | 42.85 грн |
| 5000+ | 42.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYWB29-100-E3/45 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції BYWB29-100-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYWB29-100-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263ABCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |