BYWB29-100-E3/81 Vishay General Semiconductor
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.67 грн |
| 10+ | 85.95 грн |
| 100+ | 57.91 грн |
| 500+ | 48.55 грн |
| 800+ | 39.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYWB29-100-E3/81 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції BYWB29-100-E3/81
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYWB29-100-E3/81 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 100V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BYWB29-100-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |