BYWB29-100-E3/81 Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.65 грн |
| 10+ | 82.71 грн |
| 100+ | 55.72 грн |
| 500+ | 46.71 грн |
| 800+ | 37.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYWB29-100-E3/81 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK).
Інші пропозиції BYWB29-100-E3/81
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYWB29-100-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263ABCurrent - Average Rectified (Io): 8A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) |
товару немає в наявності |