BYWB29-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYWB29-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V.
Інші пропозиції BYWB29-100HE3_A/P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYWB29-100HE3_A/P | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 100V 100A AEC-Q101 |
товару немає в наявності |