
BZD17C11P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD17C11P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V.
Інші пропозиції BZD17C11P-E3-18
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
BZD17C11P-E3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |