BZD17C47P-E3-08 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.56 грн |
| 17+ | 19.91 грн |
| 100+ | 8.69 грн |
| 1000+ | 5.98 грн |
| 3000+ | 5.35 грн |
| 9000+ | 4.66 грн |
| 24000+ | 4.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD17C47P-E3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZD17C47P-E3-08
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD17C47P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ZENER 47V 800MW DO219ABCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 36 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 800 mW Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |