BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.24 грн |
| 14+ | 23.28 грн |
| 100+ | 13.95 грн |
| 500+ | 12.12 грн |
| 1000+ | 8.24 грн |
| 2000+ | 7.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V, Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V.
Інші пропозиції BZD27B110P-M3-08
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZD27B110P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V |
товару немає в наявності |
|
 |
BZD27B110P-M3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified |
товару немає в наявності |