Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BZD27B12P-M3-08
BZD27B12P-M3-08

BZD27B12P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27b-mseries.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.57 грн
6000+6.61 грн
9000+6.27 грн
15000+5.59 грн
21000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZD27B12P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BZD27B12P-M3-08 за ціною від 7.20 грн до 25.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZD27B12P-M3-08 BZD27B12P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
19+16.23 грн
100+8.47 грн
500+7.58 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 BZD27B12P-M3-08 Vishay Semiconductors bzd27b-mseries.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B12P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.08 грн
19+16.23 грн
100+8.47 грн
500+7.58 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B12P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B12P-M3-08
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.