BZD27B30P-M3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 29250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 31.16 грн |
| 14+ | 25.89 грн |
| 100+ | 20.73 грн |
| 500+ | 14.36 грн |
| 1000+ | 12.11 грн |
| 2500+ | 10.79 грн |
| 5000+ | 9.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27B30P-M3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V.
Інші пропозиції BZD27B30P-M3-08 за ціною від 18.01 грн до 33.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BZD27B30P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BZD27B30P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V |
товару немає в наявності |

