Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BZD27B4V7P-M3-08
BZD27B4V7P-M3-08

BZD27B4V7P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27b-mseries.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.94 грн
9000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZD27B4V7P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V.

Інші пропозиції BZD27B4V7P-M3-08 за ціною від 15.16 грн до 54.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZD27B4V7P-M3-08 BZD27B4V7P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27b-mseries.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 35826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.59 грн
10+32.84 грн
50+24.07 грн
100+19.90 грн
500+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B4V7P-M3-08 BZD27B4V7P-M3-08 Vishay Semiconductors bzd27b-mseries.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B4V7P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B4V7P-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 35826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.59 грн
10+32.84 грн
50+24.07 грн
100+19.90 грн
500+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27B4V7P-M3-08 bzd27b-mseries.pdf
BZD27B4V7P-M3-08
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.