BZD27B6V8P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Power - Max: 800 mW
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27B6V8P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB, Power - Max: 800 mW, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA.
Інші пропозиції BZD27B6V8P-M3-08 за ціною від 7.84 грн до 29.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZD27B6V8P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 800 mW Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BZD27B6V8P-M3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified |
товару немає в наявності |