
BZD27C100P-M3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 30331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 26.03 грн |
21+ | 16.63 грн |
100+ | 11.60 грн |
1000+ | 8.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C100P-M3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.
Інші пропозиції BZD27C100P-M3-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27C100P-M3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BZD27C100P-M3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
товару немає в наявності |