Технічний опис BZD27C10P-E3-18 Vishay
Description: DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V, Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 7.5 V.
Інші пропозиції BZD27C10P-E3-18
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C10P-E3-18 | Виробник : Vishay |
 Diode Zener Single 10V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
|
 |
BZD27C10P-E3-18 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 10V 800MW DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 7.5 V |
товар відсутній |
|
 |
BZD27C10P-E3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 10 Volt 0.8 Watt 5% |
товар відсутній |