
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30000+ | 8.79 грн |
48000+ | 8.59 грн |
60000+ | 8.50 грн |
75000+ | 8.13 грн |
120000+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C11P-E3-08 Vishay
Description: VISHAY - BZD27C11P-E3-08 - Zener-Diode, 11 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZD27C Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 11V, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BZD27C11P-E3-08 за ціною від 5.44 грн до 39.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 21998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 24295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 21998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V |
на замовлення 25081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BZD27C11P-E3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |