
BZD27C11P-HE3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 26747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 32.62 грн |
13+ | 27.35 грн |
100+ | 16.51 грн |
500+ | 12.92 грн |
1000+ | 10.49 грн |
2500+ | 9.39 грн |
10000+ | 8.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C11P-HE3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZD27C11P-HE3-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27C11P-HE3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BZD27C11P-HE3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |