BZD27C12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


bzd27series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.60 грн
6000+9.33 грн
9000+8.88 грн
15000+7.86 грн
21000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZD27C12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції BZD27C12P-HE3-08 за ціною від 11.21 грн до 45.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZD27C12P-HE3-08 BZD27C12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 22628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.37 грн
100+17.55 грн
500+12.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C12P-HE3-08 bzd27series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 22628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
11+27.37 грн
100+17.55 грн
500+12.49 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.