BZD27C24P-HE3-08 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.42 грн |
| 10+ | 58.51 грн |
| 100+ | 32.22 грн |
| 500+ | 19.99 грн |
| 1000+ | 14.75 грн |
| 2500+ | 13.07 грн |
| 5000+ | 11.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C24P-HE3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 18 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZD27C24P-HE3-08
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C24P-HE3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ZENER 24V 800MW DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 18 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |