BZD27C30P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.06 грн |
| 6000+ | 9.20 грн |
| 9000+ | 8.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C30P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZD27C30P-HE3-08 за ціною від 9.92 грн до 51.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZD27C30P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 29539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C30P-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BZD27C30P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ZENER 30V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 22 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.85 грн |
| 13+ | 24.59 грн |
| 100+ | 17.08 грн |
| 500+ | 12.51 грн |
| 1000+ | 10.17 грн |
| BZD27C30P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.16 грн |
| 11+ | 31.32 грн |
| 100+ | 17.46 грн |
| 500+ | 13.27 грн |
| 1000+ | 11.87 грн |
| 2500+ | 10.19 грн |
| 10000+ | 9.92 грн |