BZD27C33P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.23 грн |
| 6000+ | 8.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C33P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZD27C33P-HE3-08 за ціною від 9.31 грн до 53.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BZD27C33P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 28164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZD27C33P-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3 |
на замовлення 28638 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| BZD27C33P-HE3-08 |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.65 грн |
| 12+ | 25.09 грн |
| 100+ | 18.74 грн |
| 500+ | 13.59 грн |
| 1000+ | 10.92 грн |
| BZD27C33P-HE3-08 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 28638 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.70 грн |
| 10+ | 32.87 грн |
| 100+ | 18.32 грн |
| 500+ | 13.93 грн |
| 1000+ | 12.46 грн |
| 2500+ | 10.70 грн |
| 5000+ | 9.31 грн |



