BZD27C33P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.34 грн |
| 6000+ | 8.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C33P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZD27C33P-HE3-08 за ціною від 11.05 грн до 39.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZD27C33P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Power - Max: 800 mW Grade: Automotive Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 28164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BZD27C33P-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3 |
на замовлення 9001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BZD27C33P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 24 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.10 грн |
| 12+ | 25.38 грн |
| 100+ | 18.96 грн |
| 500+ | 13.75 грн |
| 1000+ | 11.05 грн |
| BZD27C33P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 9001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)