BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


bzd27series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BZD27C4V7P-HE3-08 за ціною від 8.91 грн до 51.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZD27C4V7P-HE3-08 BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
13+23.03 грн
100+15.59 грн
500+11.44 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C4V7P-HE3-08 BZD27C4V7P-HE3-08 Vishay Semiconductors bzd27series.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 25776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.22 грн
11+31.28 грн
100+17.47 грн
500+13.32 грн
1000+11.94 грн
2500+10.22 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C4V7P-HE3-08 bzd27series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.95 грн
13+23.03 грн
100+15.59 грн
500+11.44 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C4V7P-HE3-08 bzd27series.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 25776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.22 грн
11+31.28 грн
100+17.47 грн
500+13.32 грн
1000+11.94 грн
2500+10.22 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.