BZD27C6V8P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.48 грн |
| 6000+ | 9.23 грн |
| 9000+ | 8.79 грн |
| 15000+ | 7.78 грн |
| 21000+ | 7.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C6V8P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V, Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Grade: Automotive, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZD27C6V8P-HE3-08 за ціною від 9.52 грн до 27.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZD27C6V8P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Grade: Automotive Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BZD27C6V8P-HE3-08 | Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3 |
на замовлення 8904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BZD27C6V8P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Grade: Automotive
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.37 грн |
| 14+ | 21.76 грн |
| 100+ | 14.83 грн |
| 500+ | 10.87 грн |
| 1000+ | 9.52 грн |
| BZD27C6V8P-HE3-08 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 8904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)