Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BZD27C8V2P-HE3-08
BZD27C8V2P-HE3-08

BZD27C8V2P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bzd27series.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.63 грн
6000+9.36 грн
9000+8.91 грн
15000+7.89 грн
21000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZD27C8V2P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Power - Max: 800 mW, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BZD27C8V2P-HE3-08 за ціною від 8.88 грн до 51.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BZD27C8V2P-HE3-08 BZD27C8V2P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzd27series.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
14+22.07 грн
100+15.03 грн
500+11.02 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2P-HE3-08 BZD27C8V2P-HE3-08 Vishay Semiconductors bzd27series.pdf Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 16887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.64 грн
11+31.29 грн
100+17.55 грн
500+13.25 грн
1000+11.91 грн
2500+10.15 грн
5000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2P-HE3-08 BZD27C8V2P-HE3-08 Vishay bzd27series.pdf Diode Zener Single 8.2V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C8V2P-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 800 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Impedance (Max) (Zzt): 2 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.72 грн
14+22.07 грн
100+15.03 грн
500+11.02 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C8V2P-HE3-08
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes ZENER DIODE SMF DO219-HE3
на замовлення 16887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.64 грн
11+31.29 грн
100+17.55 грн
500+13.25 грн
1000+11.91 грн
2500+10.15 грн
5000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C8V2P-HE3-08 bzd27series.pdf
BZD27C8V2P-HE3-08
Виробник: Vishay
Diode Zener Single 8.2V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.