Технічний опис BZD27C9V1P-E3-08 Vishay
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZD27C Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 9.1V, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BZD27C9V1P-E3-08 за ціною від 5.19 грн до 46.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
 Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 9.1 Volt 0.8 Watt 5% |
на замовлення 41407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V |
на замовлення 28110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|