на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZD27C9V1P-E3-08 Vishay
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-219AB, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZD27C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Zener-Spannung, nom.: 9.1V.
Інші пропозиції BZD27C9V1P-E3-08 за ціною від 4.11 грн до 29.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay |
Diode Zener Single 9.1V 6% 2300mW 2-Pin SMF T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V |
на замовлення 24515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 9.1V 800MW DO219AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 5 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 9.1 Volt 0.8 Watt 5% |
на замовлення 52055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BZD27C9V1P-E3-08 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BZD27C9V1P-E3-08 - Zener-Diode, 9.1 V, 800 mW, DO-219AB, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-219AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZD27C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V |
на замовлення 24515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|