BZT52B20-G RHG

BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation


BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZT52B20-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%.

Інші пропозиції BZT52B20-G RHG за ціною від 3.81 грн до 17.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZT52B20-G RHG BZT52B20-G RHG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 14 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.28 грн
31+10.06 грн
100+6.29 грн
500+4.32 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.