BZT52B30-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22.5 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52B30-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 30V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22.5 V, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZT52B30-E3-08 за ціною від 2.23 грн до 21.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZT52B30-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 30 Volt 0.5W 2% |
на замовлення 27958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BZT52B30-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 30V 410MW SOD123 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 22.5 V Power - Max: 410 mW Supplier Device Package: SOD-123 Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123 Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|