BZT52B3V3-G RHG Taiwan Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52B3V3-G RHG Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V.
Інші пропозиції BZT52B3V3-G RHG за ціною від 3.62 грн до 20.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZT52B3V3-G RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BZT52B3V3-G RHG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
BZT52B3V3-G-RHG SMD Zener diodes |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
BZT52B3V3-G RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Zener Diode Single 3.3V 2% 95Ohm 410mW 2-Pin SOD-123 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BZT52B3V3-G RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BZT52B3V3-G RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode |
товару немає в наявності |
