Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > BZT52B3V6-G RHG
BZT52B3V6-G RHG

BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V.

Інші пропозиції BZT52B3V6-G RHG за ціною від 3.17 грн до 13.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZT52B3V6-G RHG BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
36+8.43 грн
100+3.78 грн
500+3.36 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V6-G RHG BZT52B3V6-G RHG Taiwan Semiconductor BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V6-G RHG BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
BZT52B3V6-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 410 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+13.95 грн
36+8.43 грн
100+3.78 грн
500+3.36 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V6-G RHG BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
BZT52B3V6-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor
Zener Diodes 410mW, 2%, Small Signal Zener Diode
на замовлення 5060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.