BZT52B5V1-G RHG

BZT52B5V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation


BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.14 грн
6000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZT52B5V1-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BZT52B5V1-G RHG за ціною від 3.43 грн до 15.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZT52B5V1-G RHG BZT52B5V1-G RHG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G SERIES_H2002.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.71 грн
34+9.08 грн
100+5.66 грн
500+3.89 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.