BZT52B8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.36 грн |
| 6000+ | 2.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52B8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZT52B8V2-E3-08 за ціною від 2.16 грн до 13.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZT52B8V2-E3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V Power - Max: 410 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SOD-123 Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123 Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 9936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BZT52B8V2-E3-08 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 8.2 Volt 0.5W 2% |
на замовлення 9953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|