BZT52B8V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52B8V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZT52B8V2-G RHG за ціною від 3.31 грн до 11.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZT52B8V2-G RHG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123 Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Power - Max: 410 mW Supplier Device Package: SOD-123 Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123 Tolerance: ±2% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|