Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > BZT52C11-G3-08
BZT52C11-G3-08

BZT52C11-G3-08 Vishay Semiconductors

bzt52-g.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Zener Diodes 11 Volt 0.41W 5%
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+31.08 грн
16+21.16 грн
100+11.70 грн
500+7.33 грн
1000+6.41 грн
3000+5.57 грн
6000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BZT52C11-G3-08 Vishay Semiconductors

Description: DIODE ZENER 11V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8.5 V, Power - Max: 410 mW, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BZT52C11-G3-08

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BZT52C11-G3-08 BZT52C11-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzt52-g.pdf Description: DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8.5 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C11-G3-08 bzt52-g.pdf
BZT52C11-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8.5 V
Power - Max: 410 mW
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.