
BZT52C8V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52C8V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Part Status: Last Time Buy, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 6 V.
Інші пропозиції BZT52C8V2-HE3-18
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
BZT52C8V2-HE3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |