BZT52C9V1-HE3-08 Vishay Semiconductors
на замовлення 14190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.83 грн |
23+ | 15.31 грн |
100+ | 6.55 грн |
1000+ | 3.83 грн |
2500+ | 3.31 грн |
10000+ | 2.72 грн |
15000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52C9V1-HE3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±5%, Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V, Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BZT52C9V1-HE3-08
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZT52C9V1-HE3-08 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BZT52C9V1-HE3-08 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 7 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |