
BZT55C30 L1G. TAIWAN SEMICONDUCTOR

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BZT55C30 L1G. - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-80 (MiniMELF), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT55C30 L1G. TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BZT55C30 L1G. - Zener-Diode, 30 V, 500 mW, SOD-80 (MiniMELF), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF), rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Zener-Spannung, nom.: 30V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції BZT55C30 L1G.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZT55C30 L1G. | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 30V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |