
BZW50-33B STMicroelectronics
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 84.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZW50-33B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-33B - TVS-Diode, Transil BZW50, Bidirektional, 33 V, 76 V, R6, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: R6, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 36.6V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 36.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 33V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Transil BZW50, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 76V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BZW50-33B за ціною від 86.60 грн до 250.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 2875pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 789A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 76V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.6V Max. forward impulse current: 85A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 5µA |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 2875pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 789A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 36.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 76V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: R6 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.6V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 36.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Transil BZW50 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 76V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
BZW50-33B | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 33V Breakdown voltage: 36.6V Max. forward impulse current: 85A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BZW50-33B | Виробник : EIC |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BZW5033B | Виробник : STM | 0627 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
BZW50-33B Код товару: 77754
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
BZW50-33B | Виробник : EIC |
![]() |
товару немає в наявності |