Продукція > WOLFSPEED > C2M0025120D
C2M0025120D

C2M0025120D Wolfspeed

c2m0025120d.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+1359.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C2M0025120D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції C2M0025120D за ціною від 4503.02 грн до 7599.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+4503.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+5008.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+5298.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+5579.75 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+5978.30 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0025120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6825.94 грн
30+5387.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C2M0025120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7322.57 грн
10+7116.30 грн
30+5812.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : WOLFSPEED CREE-S-A0012496449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7524.16 грн
5+6912.35 грн
10+6300.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+7536.26 грн
5+7042.48 грн
10+6241.09 грн
25+5612.30 грн
50+5059.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed c2m0025120d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+7599.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D
Код товару: 117277
Додати до обраних Обраний товар

Wolfspeed_C2M0025120D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C891EAC568E8469&compId=C2M0025120D.pdf?ci_sign=c295c70cb77db235c72dbda780b6189b4d57fa50 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 45ns
Gate charge: 161nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Виробник : Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C891EAC568E8469&compId=C2M0025120D.pdf?ci_sign=c295c70cb77db235c72dbda780b6189b4d57fa50 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 45ns
Gate charge: 161nC
On-state resistance: 25mΩ
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.