Інші пропозиції C2M0025120D за ціною від 5081.16 грн до 7032.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed |
 SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +25V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Power Dissipation (Max): 463W (Tc) |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
C2M0025120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| C2M0025120D | Виробник : CREE |
N-Channel 1200V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |