Інші пропозиції C2M0040120D за ціною від 2999.84 грн до 4285.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C2M0040120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
C2M0040120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...25V Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Reverse recovery time: 54ns Power dissipation: 330W Gate charge: 115nC Polarisation: unipolar Technology: SiC; Z-FET™ Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
C2M0040120D | Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
C2M0040120D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C2M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4001.13 грн |
| 10+ | 3402.94 грн |
| 25+ | 3138.34 грн |
| 100+ | 2999.84 грн |
| C2M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 54ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 115nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 54ns
Power dissipation: 330W
Gate charge: 115nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4285.99 грн |
| 3+ | 3512.52 грн |
| 10+ | 3051.08 грн |
| C2M0040120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C2M0040120D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






