Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C2M0040120D

C2M0040120D

Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
Код товару: 173103
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C2M0040120D за ціною від 2502.49 грн до 4304.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3774.07 грн
30+2502.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed(CREE) C2M0040120D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4304.46 грн
3+3527.36 грн
10+3063.59 грн
30+3001.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
C2M0040120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3774.07 грн
30+2502.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D C2M0040120D.pdf
C2M0040120D
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Technology: SiC; Z-FET™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...25V
Reverse recovery time: 54ns
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4304.46 грн
3+3527.36 грн
10+3063.59 грн
30+3001.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
C2M0040120D
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.