C2M0045170D WOLFSPEED
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
Description: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8063.53 грн |
5+ | 7902.41 грн |
10+ | 7741.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M0045170D WOLFSPEED
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C2M0045170D за ціною від 5937.13 грн до 8386.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C2M0045170D | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0045170D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0045170D Код товару: 125314 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
C2M0045170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 188nC Technology: C2M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
C2M0045170D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
C2M0045170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 48A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 188nC Technology: C2M™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 70ns |
товар відсутній |