на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 532.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M0160120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V.
Інші пропозиції C2M0160120D за ціною від 573.04 грн до 1251.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 34nC Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Case: TO247-3 Reverse recovery time: 23ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17.7A On-state resistance: 196mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V |
на замовлення 1723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 34nC Technology: SiC; Z-FET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...25V Case: TO247-3 Reverse recovery time: 23ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 17.7A On-state resistance: 196mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D | Виробник : CREE |
N-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C2M0160120D Код товару: 84501 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|