Інші пропозиції C2M0160120D за ціною від 826.86 грн до 862.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
C2M0160120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 125W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Technology: SiC; Z-FET™ Drain current: 17.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 196mΩ Reverse recovery time: 23ns |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||
|
C2M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
C2M0160120D | Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
C2M0160120D | Wolfspeed |
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
C2M0160120D | WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C2M productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 17.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Reverse recovery time: 23ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 125W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC; Z-FET™
Drain current: 17.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Reverse recovery time: 23ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 826.86 грн |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 862.75 грн |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 862.75 грн |
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| C2M0160120D |
![]() |
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| RS-485 - UART TTL перетворювач Код товару: 147320
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
Модульні елементи > Програматори, засоби налагодження
Опис: Перетворювач RS-485 - UART TTL (грозозахист, апаратний автоматичний контроль потоку (Automatic Flow Control),
Тип засобів розробки: Перетворювач інтерфейсу
Контролер: MAX485
Опис: Перетворювач RS-485 - UART TTL (грозозахист, апаратний автоматичний контроль потоку (Automatic Flow Control),
Тип засобів розробки: Перетворювач інтерфейсу
Контролер: MAX485
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 29.90 грн |
| 100+ | 26.89 грн |
| 1000+ | 23.90 грн |
| ZXGD3003E6TA SOT23-6 Код товару: 115835
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.








