C2M0280120D


Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf
Код товару: 173651
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C2M0280120D за ціною від 346.94 грн до 873.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C2M0280120D C2M0280120D Виробник : CREE info-tc2m0280120d.pdf N-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+478.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D C2M0280120D Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+844.55 грн
5+677.10 грн
10+509.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D C2M0280120D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.39 грн
30+504.07 грн
120+430.35 грн
510+353.23 грн
1020+346.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D C2M0280120D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf SiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.81 грн
10+560.86 грн
120+415.94 грн
510+371.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.