
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 755.69 грн |
25+ | 720.80 грн |
50+ | 691.79 грн |
100+ | 643.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M1000170D Wolfspeed
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції C2M1000170D за ціною від 393.01 грн до 920.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C2M1000170D | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 20ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
C2M1000170D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.9A Power dissipation: 69W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 20ns |
товару немає в наявності |