C2M1000170D Wolfspeed


wolfspeed_c2m1000170d_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+630.34 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C2M1000170D Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції C2M1000170D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C2M1000170D C2M1000170D WOLFSPEED CREE-S-A0013580910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D CREE-S-A0013580910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.